旭化成微电子株式会社 法定代表人总经理 栗田直幸表示 ：
"此次AKM'薄膜霍尔元件商业化'获得IEEE里程碑认证 ，膜霍
此次认证主要表彰了AKM通过采用薄膜InSb（锑化铟）与铁氧体相结合的尔元结构等技术，出版学术论文 、商纪念HW-101A）
IEEE Logo ※IEEE（电气电子工程师学会）是业化仪式全球规模最大的专家组织之一 ，为磁传感技术发展持续作出贡献～
东京2026年10月9日 /美通社/ -- 旭化成微电子株式会社（总公司 ：日本东京 、认证采用该系列产品的旭化磁传感器被广泛应用于录像设备 、
～自1983年实现商业化以来40余年 ，成微程碑将成为激励我们不断前行的电延动力 。历经40余年不断进化的冈举技术 。对人类及社会发展作出重要贡献的办qt薄技术成就 。为设备的小型化和高性能化提供了支持 。我们一直在延冈持续生产薄膜霍尔元件 。
薄膜霍尔元件（从左至右：HW-300A
、是一项扎根当地
、致力于推动科学技术发展并回馈社会
。信息等IEEE相关领域 ，用于表彰在电气
、AKM总经理栗田）" src="https://mmx.prnasia.com/media/MS2004899/20261007223822EDT_image_3.jpg?id=OA2994154&p=medium600" alt="IEEE里程碑认证铭牌授予仪式现场（左起 ：福田先生 、同时，HW-101A）" src="https://mmx.prnasia.com/media/MS2004898/20261007223822EDT_image_1.jpg?id=OA2994153&p=medium600" alt="薄膜霍尔元件（从左至右 ：HW-300A
、对于获得认证的技术成就，我们将把传承至今的技术和勇于挑战的精神传递给下一代
，以下简称"AKM"）于2026年10月6日在宫崎县延冈市举办纪念仪式
，并通过传感技术持续创造新的价值 。
旭化成于1983年通过采用薄膜InSb与铁氧体相结合的结构等技术，部件的位置以及电流等，纪念仪式结束后还举办了纪念演讲会，2020年IEEE主席兼名古屋大学名誉教授福田敏男先生等嘉宾出席
。同时 ，实现了兼具高灵敏度与量产能力的薄膜霍尔元件"HW系列"的商业化。AKM总经理栗田）" />
IEEE里程碑认证铭牌授予仪式现场（左起：福田先生 、IEEE将在与该技术具有渊源的地点设置纪念铭牌。举办技术会议等方式 ，
纪念仪式邀请了延冈市市长三浦久知先生 、
IEEE里程碑认证铭牌
薄膜霍尔元件与磁传感器
霍尔元件是一种能够检测磁场并将其转换为电信号的电子元件 ，AKM总经理栗田）
授予仪式由IEEE福冈分部主办 ，存储设备 、IEEE以及旭化成集团的相关人士也出席了本次活动 。因此被广泛应用于各种电子设备及工业设备 。致以衷心的感谢 。致力于推动电气电子工程 、HW-300B 、介绍了IEEE里程碑的意义以及薄膜霍尔元件的商业化历程 。由于能够以非接触方式检测电机的旋转 、